參數(shù)資料
型號： IHD 215
廠商： SIEMENS AG
英文描述： IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET)
中文描述： IGBT和功率場效應(yīng)晶體管（IGBT的和功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 16/24頁
文件大?。?/td> 243K
代理商： IHD 215
IHD 215/280/680
Datenblatt
Seite 16
Bezugspotential ist Pin 33 (E1). Die
Referenz
darf
unter
Umstnden
kapazitiv
werden.
gar
abgeblockt
keinen
Die Referenz-Diode mu mglichst
nahe am Treibermodul angeordnet
werden.
Pin 34 {Pin 23}
Anschlu Cs1 {Cs2}
An
schaltfeste
Abblockkondensatoren
werden
angeordnet, welche sekundrseitig
den DC/DC-Wandler entkoppeln. Sie
müssen die Pulsstrme (bis 8A) für
diesen
Ausgngen
und
werden
niederinduktive
(meist
Elko’s
verwendet)
die Umladung der Gatekapazitten
liefern knnen. Die Elko's werden
zwischen Cs1 {Cs2} und COM1
{COM2} angeschlossenen. Da die
Umladestrme für die Gatekapazitt
hauptschlich
aus
bezogen werden, müssen sich diese
in unmittelbarer Nhe des Treiber-
Moduls
befinden.
Anschlubelegung eignet sich dazu
optimal.
Empfehlenswert
Kapazitten bis 100
μ
F pro Kanal.
Grere Werte sollten jedoch nicht
verwendet
werden,
problemloses
Starten
grierten DC/DC-Wandlers garantiert
werden kann.
diesen
Elko's
Die
sind
damit
des
ein
inte-
Abschaltschwelle
0V
-15V
0A
0V
+15V
+15V
Blockierzeit
t
t1
0
Stauts-Signal
Laststrom
Gatespannung
Eingangsspannung
t0
Abb. 7 Funktion der Blockierzeit
t0
1
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