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參數(shù)資料
| 型號： | IHD 215 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
| 中文描述： | IGBT和功率場效應(yīng)晶體管（IGBT的和功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 10/24頁 |
| 文件大小： | 243K |
| 代理商： | IHD 215 |
IHD 215/280/680
Datenblatt
Seite 10
Für den zweiten Kanal gilt dann das
Gleiche
wie
für
beschriebenen ersten Kanal.
den
explizit
Pin 3 und 4 {Pin 17 und 18}
Eingnge IN1+ und IN1- {IN2+
und IN2-}
An die Differenzeingnge IN1+ und
IN1- werden die Ansteuersignale
angelegt. Der Eingang IN1- wird
normalerweise mit der Mae der
Steuerelektronik
positive Flanke am Eingang IN1+
bewirkt
das
Einschalten
entsprechenden Leistungstransistors,
eine negative Flanke schaltet den
Transistor wieder aus (Abb. 1). Mu
das Ansteuersignal invertiert werden,
wird
Eingang
Elektronikmae und das Steuersignal
an den Eingang IN1- gelegt (Abb. 2).
verbunden.
Eine
des
IN1+
an
die
Die
Steuersignale ist bei den Treibern der
IHD-Serie mit Impulstransformatoren
realisiert. Beim Ansteuersignal ist
darauf
zu
achten,
Steuerelektronik
bentigten
Spannungen
Umladestrme liefern kann und da
die
Flankensteilheit
galvanische
Trennung
der
da
vom
die
IHD
und
die
den
Daten-
blattspezifikationen
Auerdem sollte der Eingangstreiber
"Latch-Up"-fest sein, da über die
Koppelkapazitt
Uebertragers
Rückwirkungen
den
Schaltvorgngen
Eingangstreiber auftreten. Ein be-
whrter Eingangstreiber für beide
Kanle stellt der MC33151 von
Motorola dar.
entspricht.
des
internen
von
die
auf
Die Ansteuermodule der IHD-Reihe
sollten
mglichst
jeweiligen
Leistungstransistoren
plaziert werden. Die Leitungen von
der
Steuerelektronik
Eingngen IN1+ und IN1- dürfen etwa
25cm lang sein. Die Leitungen IN1+
und IN1- müssen parallel und gut
gekoppelt
werden
Leiterbahnen
oder
tungen).
nahe
an
den
zu
den
(parallele
verdrillte
Lei-
Die Minusleitungen müssen in jedem
Fall für beide Kanle separat zum
Eingangstreiber
werden,
damit
Betrieb gewhrleistet werden kann
(siehe Abb. 3).
zurückgeführt
zuverlssiger
ein
Whrend bei sehr langen Pulsen die
sichere Uebertragung kein Problem
darstellt, sollte der ganze Aufbau
hinsichtlich
sehr
kurzer
Abb. 1 Ansteuerung nicht invertierend
Abb. 2 Ansteuerung invertierend
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IHD 280 | IGBT And Power-MOSFET(IGBT和功率MOSFET) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IHD2651 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
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