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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7005L55GB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | Single, Ultra Low Cost, RRIO CMOS Amplifier |
| 中文描述： | 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CPGA68 |
| 封裝： | 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-68 |
| 文件頁數(shù)： | 16/20頁 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | IDT7005L55GB |
6.42
IDT7005S/L
High-Speed 8K x 8 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
5
DC Electrical Characteristics Over the 0perating
Temperature and Supply Voltage Range (VCC = 5.0V ± 10%)
NOTE:
1. At Vcc < 2.0V input leakages are undefined.
Data Retention Waveform
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(L Version Only) (VLC = 0.2V, VHC = VCC - 0.2V)
NOTES:
1. TA = +25°C, VCC = 2V, and are not production tested.
2. tRC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed by characterization, but is not production tested.
DATA RETENTION MODE
VCC
CE
2738 drw 05
4.5V
tCDR
tR
VIH
VDR
VIH
4.5V
VDR
2V
>
Symbol
Parameter
Test Conditions
7005S
7005L
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
|ILI|
Input Leakage Current(1)
VCC = 5.5V, VIN = 0V to VCC
___
10
___
5A
|ILO|
Output Leakage Current
CE = VIH, VOUT = 0V to VCC
___
10
___
5A
VOL
Output Low Voltage
IOL = +4mA
___
0.4
___
0.4
V
VOH
Output High Voltage
IOH = -4mA
2.4
___
2.4
___
V
2738 tbl 08
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
(1)
Max.
Unit
VDR
VCC for Data Retention
VCC = 2V
2.0
___
V
ICCDR
Data Retention Current
CE > VHC
VIN > VHC or < VLC
Mil. & Ind.
___
100
4000
A
Com'l.
___
100
1500
tCDR
(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
SEM > VHC
0
___
ns
tR(3)
Operation Recovery Time
tRC(2)
___
ns
2738 tbl 09
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7005L55J | Dual, Ultra Low Cost, RRIO CMOS Amplifier; Package: MSOP; No of Pins: 8; Container: Tape & Reel |
| IDT7005L55PF | Dual, Ultra Low Cost, RRIO CMOS Amplifier |
| IDT7005L55PFB | HIGH-SPEED 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7005S | HIGH-SPEED 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7034L20PF8 | 4K X 18 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7005L55J | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT7005L55J8 | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT7005L55JB | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7005L55JI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 68PLCC |
| IDT7005L55JI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 68PLCC |
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