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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IBMN364804CT3C-360 |
| 英文描述： | x8 SDRAM |
| 中文描述： | x8 SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 42/71頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1251K |
| 代理商： | IBMN364804CT3C-360 |
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IBMN364164
IBMN364404
64Mb Synchronous DRAM - Die Revision C
IBMN364804
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 42 of 71
19L3265.E35856B
1/01
Read Cycle
Symbol
Parameter
-68
-75A
-260
-360
Units
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
t
OH
Data Out Hold Time
2.5
—
—
—
2.5
—
2.5
—
ns
1
—
—
2.7
—
3
—
3
—
ns
2, 4
t
LZ
Data Out to Low Impedance Time
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
t
HZ3
Data Out to High Impedance Time
3
6
3
5.4
3
6
3
6
ns
3
t
HZ2
Data Out to High Impedance Time
3
6
—
—
3
6
3
8
ns
3
t
DQZ
DQM Data Out Disable Latency
2
—
2
—
2
—
2
—
CLK
1. AC Output Load Circuit A.
2. AC Output Load Circuit B.
3. Referenced to the time at which the output achieves the open circuit condition, not to output voltage levels.
4. Data Out Hold Time with no load must meet 1.8ns (-75A).
Refresh Cycle
Symbol
Parameter
-68
-75A
-260
-360
Units
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
t
REF
Refresh Period
—
64
—
64
—
64
—
64
ms
1
t
SREX
Self Refresh Exit Time
10
10
10
10
ns
1. 4096 auto refresh cycles.
Write Cycle
Symbol
Parameter
-68
-75A
-260
-360
Units
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
t
DS
Data In Set-up Time
2
—
1.5
—
2
—
2
—
ns
t
DH
Data In Hold Time
1
—
0.8
—
1
—
1
—
ns
t
DPL
Data input to Precharge
13.3
—
15
—
15
—
15
—
ns
t
DAL3
Data In to Active Delay
CAS Latency = 3
5
—
5
—
5
—
5
—
CLK
t
DAL2
Data In to Active Delay
CAS Latency = 2
—
—
—
—
4
—
3
—
CLK
t
DQW
DQM Write Mask Latency
0
—
0
—
0
—
0
—
CLK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBMN364804CT3C-75A | x8 SDRAM |
| IBMSGRF0100 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 4.5V V(BR)CEO | 75MA I(C) | SOT-353 |
| IBT200-200 | DC to DC Converter |
| IBT200-201 | DC to DC Converter |
| IBT200-201-3 | DC to DC Converter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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