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參數(shù)資料
| 型號： | HZU10B2 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 9/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | HZU10B2 |
HZU Series
Rev.7, Dec. 2002, page 7 of
9
Main Characteristic
10
8
6
4
2
0
4
8
12
16
20
24
28
32
40
36
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
0
5
10 15 20 25
0.06
30 35 40 45
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
25
20
15
10
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
%/
°
C
mV/
°
C
250
200
150
100
50
200
150
100
50
00
0.8mm
0
1.5mm
H
H
H
H
H
H
H
H
Printed circuit board
×
Cu Foil
×
P
Ambient Temperature Ta (
°
C)
Fig.3 Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Z
T
γ
Z
°
C
Fig.2 Temperature Coefficient vs. Zener voltage
Zener Voltage V
Z
(V)
Z
T
γ
Z
°
C
0
Fig.1 Zener current vs. Zener voltage
Zener Voltage V
Z
(V)
Z
Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZU10B3 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZU11 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZU11B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZU11B1 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZU11B2 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZU10B2TRF-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Diode Zener Single 10V 2% 200mW 2-Pin URP T/R Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Diode Zener Single 10V 2% 200mW 2-Pin URP T/R |
| HZU10B3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer |
| HZU10G | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorption |
| HZU11 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer |
| HZU11A1L | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Planar Zener Diode for Low Noise Application |
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