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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZU10B2 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/11頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | HZU10B2 |
HZU Series
Rev.7, Dec. 2002, page 5 of
9
Zener Voltage
Reverse Current
Dynamic Resistance
V
Z
(V)
*
Min
1
Test
Condition
I
R
(
μ
A)
Max
Test
Condition
r
d
(
)
Max
Test
Condition
Type
Grade
Max
I
Z
(mA)
5
V
R
(V)
15.0
I
Z
(mA)
5
HZU20
B
18.86
21.08
2
50
B1
18.86
19.70
B2
19.52
20.39
B3
20.21
21.08
HZU22
B
20.88
23.17
5
2
17.0
55
5
B1
20.88
21.77
B2
21.54
22.47
B3
22.23
23.17
HZU24
B
22.93
25.57
5
2
19.0
60
5
B1
22.93
23.96
B2
23.72
24.78
B3
24.54
25.57
HZU27
B
25.10
28.90
2
2
21.0
70
2
HZU30
B
28.00
32.00
2
2
23.0
80
2
HZU33
B
31.00
35.00
2
2
25.0
80
2
HZU36
B
34.00
38.00
2
2
27.0
90
2
Note: 1. Tested with pulse (P
W
= 40 ms).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZU10B3 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZU11 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZU11B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZU11B1 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZU11B2 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZU10B2TRF-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Diode Zener Single 10V 2% 200mW 2-Pin URP T/R Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Diode Zener Single 10V 2% 200mW 2-Pin URP T/R |
| HZU10B3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer |
| HZU10G | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorption |
| HZU11 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer |
| HZU11A1L | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Planar Zener Diode for Low Noise Application |
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