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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512160AF-3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 50/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512160AF-3 |
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HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Functional Description
Data Sheet
50
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
3.18
Read Command
The Read command is initiated by having CS and CAS
LOW while holding RAS and WE HIGH at the rising
edge of the clock. The address inputs determine the
starting column address for the burst. The delay from
the start of the command until the data from the first cell
appears on the outputs is equal to the value of the read
latency (RL). The data strobe output (DQS) is driven
LOW one clock cycle before valid data (DQ) is driven
onto the data bus. The first bit of the burst is
synchronized with the rising edge of the data strobe
(DQS). Each subsequent data-out appears on the DQ
pin in phase with the DQS signal in a source
synchronous manner. The RL is equal to an additive
latency (AL) plus CAS latency (CL). The CL is defined
by the Mode Register Set (MRS). The AL is defined by
the Extended Mode Register Set (EMRS(1)).
Figure 24
Basic Read Timing Diagram
Figure 25
Read Operation Example 1
RL = 5 (AL = 2, CL = 3, BL = 4)
DQS,
DQS
DQ
DQS
DQS
t
RPRE
t
DQSQmax
t
RPST
t
DQSCK
t
AC
Dout
Dout
Dout
Dout
CLK, CLK
CLK
CLK
t
CH
t
CL
t
CK
DO-Read
t
QH
DQSQmax
t
QH
t
t
LZ
t
HZ
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
READ A
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
RL = 5
AL = 2
CL = 3
NOP
<= tDQSCK
CMD
DQ
BRead523
DQS,
DQS
Posted CAS
CK, CK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512160AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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