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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512160AF-3.7 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 19/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512160AF-3.7 |
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Data Sheet
19
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Pin Configuration and Block Diagrams
Not Connected
×
16 organization
A2, E2, L1, R3,
R7, R8
Other Pins
×
4/
×
8 organizations
F9
ODT
NC
NC
–
Not Connected
I
SSTL
On-Die Termination Control
Note:ODT (registered HIGH) enables termination resistance
internal to the DDR2 SDRAM. When enabled, ODT is
applied to each DQ, DQS, DQS and DM signal for
×
4 and
DQ, DQS, DQS, RDQS, RDQS and DM for
×
8
configurations. For
×
16 configuration ODT is applied to
each DQ, UDQS, UDQS, LDQS, LDQS, UDM and LDM
signal. The ODT pin will be ignored if the Extended Mode
Register (EMRS(1)) is programmed to disable ODT.
Other Pins
×
16 organization
K9
ODT
I
SSTL
On-Die Termination Control
Table 5
Abbreviation
I
O
I/O
AI
PWR
GND
NC
Abbreviations for Pin Type
Description
Standard input-only pin. Digital levels.
Output. Digital levels.
I/O is a bidirectional input/output signal.
Input. Analog levels.
Power
Ground
Not Connected
Table 6
Abbreviation
SSTL
LV-CMOS
CMOS
OD
Abbreviations for Buffer Type
Description
Serial Stub Terminated Logic (SSTL_18)
Low Voltage CMOS
CMOS Levels
Open Drain. The corresponding pin has 2 operational states, active low and tristate,
and allows multiple devices to share as a wire-OR.
Table 4
Ball#/Pin#
Pin Configuration of DDR SDRAM
Name
Pin
Type
Buffer
Type
Function
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512160AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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