參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18H512321BF
廠商： QIMONDA
英文描述： 512-Mbit GDDR3 Graphics RAM
中文描述： 512兆GDDR3顯卡內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 27/43頁(yè)
文件大?。?/td> 1344K
代理商： HYB18H512321BF
HYB18H512321BF
512-Mbit GDDR3
Internet Data Sheet
Rev. 1.1, 2007-09
05292007-WAU2-UU95
27
TABLE 16
Programmed Driver IV Characteristics at 40 Ohm
5.7.2
Termination IV Characteristic at 60 Ohms
Figure 15
represents the DQ termination Pull-Up IV characteristic under process, voltage and temperature best and worst case
conditions. The actual DQ termination Pull-Up current must lie between these two bounding curves. The value of the external
ZQ resistor is 240
Ω
, setting the nominal DQ termination impedance to 60
Ω
. (Extended Mode Register programmed to ZQ/4).
Voltage (V)
Pull-Down Current (mA)
Pull-Up Current (mA)
Minimum
Maximum
Minimum
Maximum
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.32
4.56
6.69
8.74
10.70
12.56
14.34
16.01
17.61
19.11
20.53
21.92
23.29
24.65
26.00
27.35
28.70
30.08
—
—
3.04
5.98
8.82
11.56
14.19
16.72
19.14
21.44
23.61
26.10
28.45
30.45
32.73
34.95
37.10
39.15
41.01
42.53
43.71
44.89
-2.44
-4.79
-7.03
-9.18
-11.23
-13.17
-15.01
-16.74
-18.37
-19.90
.21.34
-22.72
-24.07
-25.40
-26.73
-28.06
-29.37
-30.66
—
—
-3.27
-6.42
-9.45
-12.37
-15.17
-17.83
-20.37
-22.78
-25.04
-27.17
-29.17
-31.25
-33.00
-35.00
-37.00
-39.14
-41.25
-43.29
-45.23
-47.07
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