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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY62QF16200ALLF-I-10 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 16 STANDARD SRAM, 100 ns, PBGA48 |
| 封裝： | FINE PITCH, BGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 143K |
| 代理商： | HY62QF16200ALLF-I-10 |
HY62QF16200A Series
Rev.04 /Jun. 2000
7
DATA RETENTION ELECTRIC CHARACTERISTIC
TA= 0
°C to 70°C/ -40°C to 85°C(I)
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VDR
Vcc for Data Retention
/CS > Vcc - 0.2V or /UB,/LB > Vcc-
0.2V
1.2
-
2.7
V
ICCDR
Data Retention Current
Vcc=2.0V, /CS > Vcc - 0.2V,
or /UB,/LB > Vcc-0.2V
LL
-
10
uA
Vss < VIN < Vcc
SL
-
2
uA
TCDR
Chip Deselect to Data
Retention Time
See Data Retention Timing Diagram
0
-
ns
TR
Operating Recovery Time
tRC(3)
-
ns
Notes:
1. Typical values are under the condition of TA = 25
°C.
2. Typical Values are sampled and not 100% tested
3. tRC is read cycle time.
DATA RETENTION TIMING DIAGRAM
CS
VDR
CS > VCC-0.2V
tCDR
tR
VSS
VCC
2.3V
DATA RETENTION MODE
or /UB &/LB
or /UB &/LB > Vcc – 0.2V
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