參數(shù)資料
型號(hào)： HY5S6B6DLF-SE
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
中文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54
封裝： 0.80 MM PITCH, FBGA-54
文件頁(yè)數(shù)： 20/27頁(yè)
文件大?。?/td> 368K
代理商： HY5S6B6DLF-SE
Rev 0.3 / July 2004
20
HY5S6B6D(L/S)F(P)-xE
4Banks x 1M x 16bits Synchronous DRAM
CAPACITANCE
(T
A
= 25
o
C, f=1MHz
)
DC CHARACTERRISTICS I
(T
A
= 25 to 85
o
C
)
Note :
1. V
IN
= 0 to 1.8V. All other pins are not tested under V
IN
=0V.
2. D
OUT
is disabled. V
OUT
= 0 to 1.95V.
3. I
OUT
= - 0.1mA
4. I
OUT
= + 0.1mA
Parameter
Pin
Symbol
-H
-/P/S/B
Unit
Min
Max
Min
Max
Input capacitance
CLK
CI1
2
4.0
2
4.0
pF
A0~A11, BA0, BA1, CKE, CS,
RAS, CAS, WE, UDQM, LDQM
DQ0 ~ DQ15
CI2
2
4.0
2
4.0
pF
Data input/output capacitance
CI/O
3.5
6.0
3.5
6.0
pF
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output High Voltage
Output Low Voltage
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
-1
-1.5
1
uA
uA
V
V
1
2
3
4
1.5
-
0.2
V
DDQ
-0.2
-
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PDF描述
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