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參數(shù)資料
| 型號： | HY5R256HC |
| 英文描述： | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 256M |
| 中文描述： | - |為2.5V | 8K的| 40 |直接RDRAM的- 256M |
| 文件頁數(shù)： | 61/64頁 |
| 文件大小： | 4542K |
| 代理商： | HY5R256HC |
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Rev.0.95 / Aug.01
61
Direct RDRAM
256/288-Mbit (512Kx16/18x32s) Preliminary
Center-Bonded uBGA Package
Figure 61: shows the form and dimensions of the recom-
mended package for the center-bonded CSP device class.
Figure 61: Center-Bonded uBGA Package
Table 27 lists the numerical values corresponding to dimen-
sions shown in Figure 61:.
Table 27: Center-Bonded uBGA Package Dimensions
T
S
A
B
C
D
E
F
G
H
J
3
4
5
6
7
8
9
A
d
e1
10
e2
Top
Bottom
1
2
K
L
N
P
R
M
U
E
E1
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
e1
Ball pitch (x-axis)
0.8
0.8
mm
e2
Ball pitch (y-axis)
0.8
0.8
mm
A
Package body length:256M D-RD
10.56
11.16
mm
288M D-RD
10.96
11.16
mm
D
Package body width:256M D-RD
16.56
16.76
mm
288M D-RD
16.56
16.76
mm
E
Package total thickness
0.65
1.20
mm
E1
Ball height
0.20
0.43
mm
d
Ball diameter
0.30
0.50
mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5R288HC | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 288M |
| HY5V16CF | 1Mx16|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 16M |
| HY5V16CF-H | x16 SDRAM |
| HY5V16CF-S | x16 SDRAM |
| HY6116-10 | x8 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5S2B6DLF-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S2B6DLFP-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S2B6DLFP-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S2B6DLF-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S5B2BLF-6E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M (8Mx32bit) Mobile SDRAM |
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