參數(shù)資料
型號: HY5DU56822DTP-X
廠商: Hynix Semiconductor Inc.
英文描述: 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM)
中文描述: 256M DDR內(nèi)存(268435456位CMOS雙數(shù)據(jù)速率(DDR)同步DRAM)
文件頁數(shù): 9/37頁
文件大小: 414K
代理商: HY5DU56822DTP-X
Rev. 0.1 /May 2004 9
HY5DU56422D(L)TP
HY5DU56822D(L)TP
HY5DU561622D(L)TP
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/CS, /RAS, /CAS, /WE
DM
ADD
R
A10/
AP
BA
Note
Data Write
H
X
X
L
X
1
Data-In Mask
H
X
X
H
X
1
Note :
1.
Write Mask command masks burst write data with reference to LDQS/UDQS(Data Strobes) and it is not related
with read data. In case of x16 data I/O, LDM and UDM control lower byte(DQ0~7) and Upper byte(DQ8~15)
respectively.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY5DU561622EFP 256Mb DDR SDRAM
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參數(shù)描述
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