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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DU56822DTP-X |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| 中文描述： | 256M DDR內(nèi)存（268435456位CMOS雙數(shù)據(jù)速率（DDR）同步DRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 3/37頁 |
| 文件大小： | 414K |
| 代理商： | HY5DU56822DTP-X |
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Rev. 0.1 /May 2004 3
HY5DU56422D(L)TP
HY5DU56822D(L)TP
HY5DU561622D(L)TP
PIN CONFIGURATION
ROW AND COLUMN ADDRESS TABLE
ITEMS
64Mx4
32Mx8
16Mx16
Organization
16M x 4 x 4banks
8M x 8 x 4banks
4M x 16 x 4banks
Row Address
A0 - A12
A0 - A12
A0 - A12
Column Address
A0-A9, A11
A0-A9
A0-A8
Bank Address
BA0, BA1
BA0, BA1
BA0, BA1
Auto Precharge Flag
A10
A10
A10
Refresh
8K
8K
8K
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
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51
50
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VDD
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VDDQ
DQ1
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VSSQ
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DQ4
VDDQ
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VSSQ
DQ7
NC
VDDQ
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NC
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LDM
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/CAS
/RAS
/CS
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BA1
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A2
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VSS
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VSSQ
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DQ13
VDDQ
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VSSQ
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DQ9
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DQ8
NC
VSSQ
UDQS
NC
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VSS
UDM
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CK
CKE
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VSS
VDD
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VDDQ
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VSSQ
NC
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NC
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NC
NC
VDDQ
NC
NC
VDD
DNU
NC
/WE
/CAS
/RAS
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BA1
A10/AP
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A2
A3
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VSS
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VSSQ
NC
DQ6
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NC
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VSSQ
NC
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VDDQ
NC
NC
VSSQ
DQS
NC
VREF
VSS
DM
/CK
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VDD
NC
VDDQ
NC
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VSSQ
NC
NC
VDDQ
NC
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NC
NC
VDDQ
NC
NC
VDD
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NC
/WE
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NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
VSS
NC
VSSQ
NC
DQ3
VDDQ
NC
NC
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
NC
VSSQ
DQS
NC
VREF
VSS
DM
/CK
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
x16
x8
x4
x4
x8
x16
400mil X 875mil
66pin TSOP -II
0.65mm pin pitch
(Lead free)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU561622EFP | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU561622ELFP | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU561622ELFP-D43 | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU561622ELFP-H | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU561622ELFP-J | 256Mb DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU56822EFP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU56822EFP-D43 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU56822EFP-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU56822EFP-J | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU56822EFP-K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mb DDR SDRAM |
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