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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DU56422DLTP |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| 中文描述： | 256M DDR內(nèi)存（268435456位CMOS雙數(shù)據(jù)速率（DDR）同步DRAM） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/37頁(yè) |
| 文件大小： | 414K |
| 代理商： | HY5DU56422DLTP |
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Rev. 0.1 /May 2004 23
HY5DU56422D(L)TP
HY5DU56822D(L)TP
HY5DU561622D(L)TP
DC CHARACTERISTICS I
(TA=0 to 70
°
C
, Voltage referenced to V
SS
= 0V)
Note
:
1. V
IN
=0 to V
DD
, All other pins are not tested under V
IN
=0V. 2. D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to V
DDQ
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-2
2
uA
1
Output Leakage Current
I
LO
-5
5
uA
2
Output High Voltage
V
OH
V
TT
+ 0.76
-
V
I
OH
= -15.2mA
Output Low Voltage
V
OL
-
V
TT
- 0.76
V
I
OL
= +15.2mA
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PDF描述 |
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