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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DU561622EFP |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 256Mb DDR SDRAM |
| 中文描述： | 256Mb的DDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 260K |
| 代理商： | HY5DU561622EFP |
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Rev. 1.1 / J une 2006
4
1
HY5DU56822E(L)FP
HY5DU561622E(L)FP
PIN CONFIGURATION
ROW AND COLUMN ADDRESS TABLE
ITEMS
32Mx8
16Mx16
Organization
8M x 8 x 4banks
4M x 16 x 4banks
Row Address
A0 - A12
A0 - A12
Column Address
A0-A9
A0-A8
Bank Address
BA0, BA1
BA0, BA1
Auto Precharge Flag
A10
A10
Refresh
8K
8K
1
2
3
7
9
8
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
x8 Device Ball Pattern
(X8)
VSSQ
NC
NC
NC
NC
VREF
DQ7
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSS
VSS
DQ6
DQ5
DQ4
DQS
DM
CK
A12
A11
A8
A6
A4
CK
CKE
A9
A7
A5
VSS
WE
RAS
BA1
A0
A2
VDD
VDD
DQ1
DQ2
DQ3
NC
NC
VDDQ
NC
NC
NC
NC
NC
DQ0
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VDD
CAS
CS
BA0
A10/AP
A1
A3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0.8mm
13.0mm
: Ball Existing
: Depopulated Ball
[ For Reference Only ]
Top View (See the balls through the Package)
BGA Package Ball Pattern
8.0mm
1.0mm
1
2
3
7
9
8
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
(X16)
x16 Device Ball Pattern
VSSQ
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
VREF
DQ15
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSS
VSS
DQ13
DQ11
DQ9
UDQS
UDM
CK
A12
A11
A8
A6
A4
CK
CKE
A9
A7
A5
VSS
WE
RAS
BA1
A0
A2
VDD
VDD
DQ2
DQ4
DQ6
LDQS
LDM
VDDQ
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
NC
DQ0
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VDD
CAS
CS
BA0
A10/AP
A1
A3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU561622ELFP | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU561622ELFP-D43 | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU561622ELFP-H | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU561622ELFP-J | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU561622ELFP-K | 256Mb DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU561622EFP-D43-C | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY5DU561622EFP-D43DR-C | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY5DU561622ELFP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU561622ELFP-D43 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU561622ELFP-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mb DDR SDRAM |
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