- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄385424 > HY5DS113222FM-4 (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 512M(16Mx32) GDDR SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DS113222FM-4 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, MO-205DAE, FBGA-144 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/30頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 431K |
| 代理商： | HY5DS113222FM-4 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)當(dāng)前第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)
Rev. 0.1 / Oct. 2004
8
HY5DS113222FM(P)
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/CS0, /CS1, /RAS,
/CAS, /WE
DM(0~3)
ADDR
A8/
AP
BA
Note
Data Write
H
X
X
L
X
1,2
Data-In Mask
H
X
X
H
X
1,2
Note :
1. Write Mask command masks burst write data with reference to DQS(0~3) and it is not related with read data.
2. DM0 corresponds to the data on DQ0-Q7; DM1 corresponds to the data on DQ8-Q15; DM2 corresponds to the data on DQ16-Q23;
DM3 corresponds to the data on DQ24-Q31.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DS113222FMP-28 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FMP-33 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FMP-36 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FMP-4 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS283222BF | 128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DS113222FMP-28 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FMP-33 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FMP-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FMP-4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS283222BF | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。