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參數(shù)資料
| 型號： | HY5DS113222FM-33 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, MO-205DAE, FBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 30/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 431K |
| 代理商： | HY5DS113222FM-33 |
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Rev. 0.1 / Oct. 2004
30
HY5DS113222FM(P)
PACKAGE INFORMATION
12mm x 12mm, 144ball Fine-pitch Ball Grid Array
12mm±0.1mm
12mm±0.1mm
[ Ball Location ]
Ball existing
Optional (Thermal ball, NC, No ball)
Depopulated ball
8.8mm
8.8mm
0.8mm
0.86mm±0.05
0.35mm±0.05
1.2mm±0.1mm
Detailed "A"
Detailed "A"
0.12mm
0.5mm Diameter
0.55Max
0.45 Min
(MO 205-D, AE in JEDEC)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DS113222FM-36 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-4 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FMP-28 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FMP-33 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FMP-36 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DS113222FM-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FMP-28 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FMP-33 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FMP-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
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