參數(shù)資料
型號(hào)： HY57V651620BTC-8
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
中文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： HY57V651620BTC-8
HY57V651620B
Rev. 1.9/Apr.01
7
AC CHARACTERISTICS I
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1.Assume tR / tF (input rise and fall time ) is 1ns
2.Access times to be measured with input signals of 1v/ns edge rate
Parameter
S y m b o l
-55
-6
-7
-75
-8
-10P
-10S
-10
Unit
Note
Min
M a x
Min
M a x
Min
M a x
Min
M a x
Min
M a x
Min
M a x
Min
M a x
Min
M a x
System clock
cycle time
C A S Latency = 3
tCK3
55
1000
6
1000
7
1000
7.5
1000
8
1000
10
1000
10
1000
1 0
1 0 0 0
ns
C A S Latency = 2
tCK2
10
10
1 0
10
10
10
12
1 2
ns
Clock high pulse width
t C H W
2.75
-
2.5
-
2.5
-
2.5
-
3
-
3
-
3
-
3
-
ns
1
Clock low pulse width
tCLW
2.75
-
2.5
-
2.5
-
2.5
-
3
-
3
-
3
-
3
-
ns
1
Access time from
clock
C A S Latency = 3
tAC3
-
5.4
-
5.4
-
5.4
-
5.4
-
6
-
6
-
6
-
8
ns
2
C A S Latency = 2
tAC2
-
6
-
6
-
6
-
6
-
6
-
6
-
6
-
8
ns
Data-out hold time
t O H
2.5
-
2.7
-
2.7
-
2.7
-
3
-
3
-
3
-
3
-
ns
Data-Input setup time
t D S
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
2
-
3
-
ns
1
Data-Input hold time
tDH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
Address setup time
t A S
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
2
-
3
-
ns
1
Address hold time
t A H
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
CKE setup time
tCKS
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
2
-
3
-
ns
1
CKE hold time
tCKH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
Command setup time
t C S
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
2
-
3
-
ns
1
C o m m a n d h o l d t i m e
tCH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
CLK to data output in low Z-time
tOLZ
1
-
1
-
1.5
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
ns
CLK to data output
in high Z-time
C A S Latency = 3
t O H Z 3
5.4
5.4
5.4
2.7
5.4
3
6
3
6
3
6
3
8
ns
C A S Latency = 2
t O H Z 2
3
6
3
6
3
6
3
6
3
8
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V653220BTC 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V653220BTC-10 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V653220BTC-10P 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V653220BTC-5 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V653220BTC-55 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
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HY57V651620TC-10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HY57V651620TC-12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HY57V651620TC-15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HY57V651621TC-10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
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