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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V651620BTC-8 |
| 廠(chǎng)商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/12頁(yè) |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | HY57V651620BTC-8 |
HY57V651620B
Rev. 1.9/Apr.01
3
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
1Mbit x 4banks x 16 I/O Synchronous DRAM
X
S
A0
A1
A11
BA0
BA1
A
Address
Registers
Mode Registers
R o w
Pre
Decoders
C o l u m n
Pre
Decoders
C o l u m n A d d
Counter
Row active
C o l u m n
Active
Burst
Counter
Data Out Control
C A S L a t e n c y
Internal Row
counter
DQ0
DQ1
DQ14
DQ15
refresh
Self refresh logic
& timer
Pipe Line Control
I
Bank Select
S
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
W E
UDQM
LDQM
1Mx16 Bank 3
X
X
M e m o r y
Cell
Array
Y decoders
X
1Mx16 Bank 0
1Mx16 Bank 1
1Mx16 Bank 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V653220BTC | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V653220BTC-10 | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V653220BTC-10P | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V653220BTC-5 | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V653220BTC-55 | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V651620BTC-I | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:4Mx16|3.3V|4K|6/7/75/10P/10S|SDR SDRAM - 64M |
| HY57V651620TC-10 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V651620TC-12 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V651620TC-15 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V651621TC-10 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x16 SDRAM |
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