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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY29F800ATT-70I |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 28/40頁 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | HY29F800ATT-70I |
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28
Rev. 1.1/Feb 02
HY29F800A
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. PA = Program Address, PD = Program Data, D
is the true data at the program address.
2. Commands shown are for Word mode operation.
3. V
CC
shown only to illustrate t
VCS
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command sequence.
Figure 17. Program Operation Timings
Addresses
CE#
t
WC
0x555
PA
PA
PA
OE#
t
AS
t
AH
t
WPH
t
WP
t
GHWL
t
CS
WE#
Data
t
DS
t
DH
0xA0
PD
Status
t
WHWH1
RY/BY#
t
BUSY
t
RB
t
VCS
V
CC
Program Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data (last two cycles)
D
OUT
t
CH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F800ATT-90 | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800ATT-90I | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800ABG-90 | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800ABG-90I | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800ABR-12 | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F800ATT-90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800ATT-90I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800BG-12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F800BG-12E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F800BG-12I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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