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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY29F800ATT-70I |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 23/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 279K |
| 代理商： | HY29F800ATT-70I |
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23
Rev. 1.1/Feb 02
HY29F800A
TEST CONDITIONS
6.2
KOhm
C
L
2.7
KOhm
+ 5V
DEVICE
UNDER
TEST
All diodes
are
1N3064
or
equivalen
Table 7. Test Specifications
t
e
T
o
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l
n
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Figure 11. Test Setup
Measurement Level
1.5 V
Output
I
nput
1.5 V
0.0 V
3.0 V
HY29F800A-50, -55 Version
Measurement
Levels
Output
Input
0.45 V
2.4 V
0.8 V
2.0 V
0.8 V
2.0 V
HY29F800A-70, -90 Versions
Figure 12. Input Waveforms and Measurement Levels
n
0
5
T
0
5
5
5
-
-
1
3
0
0
7
9
-
-
e
G
0
1
2
4
4
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C
h
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F800ATT-90 | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800ATT-90I | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800ABG-90 | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800ABG-90I | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800ABR-12 | 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F800ATT-90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800ATT-90I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F800BG-12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F800BG-12E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F800BG-12I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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