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參數(shù)資料
| 型號： | HY29F400TG-70 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO44 |
| 封裝： | PLASTIC, SOP-44 |
| 文件頁數(shù)： | 35/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 509K |
| 代理商： | HY29F400TG-70 |
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35
Rev. 5.2/May 01
HY29F400
AC CHARACTERISTICS
0x555 for Program
0x2AA for Erase
PA for Program
SA for Sector Erase
0x555 for Chip Erase
t
WS
t
RH
t
WH
CE#
OE#
Addresses
t
WC
VA
t
AS
t
AH
WE#
Data
RY/BY#
t
DS
Status
D
OUT
t
BUSY
t
WHWH1
or t
WHWH2
or t
WHWH3
t
DH
0xA0 for Program
0x55 for Erase
PD for Program
0x30 for Sector Erase
0x10 for Chip Erase
RESET#
t
CP
t
CPH
t
GHEL
Notes:
1.
PA = program address, PD = program data, VA = Valid Address for reading program or erase status (see Write
Operation Status section), D
OUT
= array data read at VA.
Illustration shows the last two cycles of the program or erase command sequence and the last status read cycle.
Word mode addressing shown.
RESET# shown only to illustrate t
RH
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command
sequence.
2.
3.
4.
Figure 25. Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F400TG-90 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400TR-45 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400TR-55 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400TR-70 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400TR-90 | x8/x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F400TG90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400TG-90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400TR45 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400TR-45 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400TR55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
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