參數(shù)資料
型號： HY27UF081G2M-TCP
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
中文描述： 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 5/48頁
文件大?。?/td> 476K
代理商： HY27UF081G2M-TCP
Rev 0.7 / Apr. 2005
5
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Figure1: Logic Diagram
9&&
966
35(
:3
&/(
$/(
5(
:(
&(
,2a,2
,2a,2[2QO\
5%
IO15 - IO8
Data Input / Outputs (x16 only)
IO7 - IO0
Data Input / Outputs
CLE
Command latch enable
ALE
Address latch enable
CE#
Chip Enable
RE#
Read Enable
WE#
Write Enable
WP#
Write Protect
RB#
Ready / Busy
Vcc
Power Supply
Vss
Ground
NC
No Connection
PRE
Power-On Read Enable
Table 1: Signal Names
相關PDF資料
PDF描述
HY27UF081G2M-TCS 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TEB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TEP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TES 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TIB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY27UF081G2M-TCS 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TEB 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TEP 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TES 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TIB 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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