參數(shù)資料
型號(hào)： HUFA76429S3S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 44A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
中文描述： 47 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 229K
代理商： HUFA76429S3S
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUFA76429D3, HUFA76429D3S Rev. B
FIGURE 11. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 12. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 13. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 14. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT
GATE CURRENT
FIGURE 15. SWITCHING TIME vs GATE RESISTANCE
FIGURE 16. SWITCHING TIME vs GATE RESISTANCE
Typical Performance Curves
(Continued)
0.4
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.6
160
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
B
I
D
= 250
μ
A
160
30
100
1000
3000
0.1
1.0
10
60
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
V
G
,
V
DD
= 30V
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= 20A
I
D
= 10A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
5
15
25
35
100
200
400
0
10
20
30
40
50
0
S
R
GS
, GATE TO SOURCE RESISTANCE (
)
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 30V, I
D
= 20A
t
r
t
f
t
d(ON)
t
d(OFF)
300
100
200
300
0
10
20
30
40
50
0
S
R
GS
, GATE TO SOURCE RESISTANCE (
)
V
GS
= 10V, V
DD
= 30V, I
D
= 20A
t
d(OFF)
t
r
t
d(ON)
t
f
50
150
250
HUFA76429D3, HUFA76429D3S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUFA76429D3S 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUFA76429P3 44A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
HUFA76429D3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA
HUFA76432P3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
HUFA76432S3S 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HUFA76429S3ST 功能描述:MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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HUFA76432S3S 功能描述:MOSFET Logic Level UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUFA76432S3ST 功能描述:MOSFET Logic Level UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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