參數(shù)資料
型號(hào)： HUF75842S3S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 43A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
中文描述： 43 A, 150 V, 0.042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
文件大小： 197K
代理商： HUF75842S3S
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75842P3, HUF75842S3S Rev. B
SPICE Thermal Model
REV 13 October 1999
HUF75842T
CTHERM1 th 6 5.20e-3
CTHERM2 6 5 2.40e-2
CTHERM3 5 4 2.00e-2
CTHERM4 4 3 1.80e-2
CTHERM5 3 2 2.40e-2
CTHERM6 2 tl 1.80e-1
RTHERM1 th 6 1.00e-2
RTHERM2 6 5 2.00e-2
RTHERM3 5 4 6.40e-2
RTHERM4 4 3 1.00e-1
RTHERM5 3 2 1.56e-1
RTHERM6 2 tl 1.65e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model HUF75842T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 5.20e-3
ctherm.ctherm2 6 5 = 2.40e-2
ctherm.ctherm3 5 4 = 2.00e-2
ctherm.ctherm4 4 3 = 1.80e-2
ctherm.ctherm5 3 2 = 2.40e-2
ctherm.ctherm6 2 tl = 1.80e-1
rtherm.rtherm1 th 6 = 1.00e-2
rtherm.rtherm2 6 5 = 2.00e-2
rtherm.rtherm3 5 4 = 6.40e-2
rtherm.rtherm4 4 3 = 1.00e-1
rtherm.rtherm5 3 2 = 1.56e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 1.65e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
HUF75842P3, HUF75842S3S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF75852G3 75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75852G3 75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75925D3ST 11A, 200V, 0.275 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75925P3 11A, 200V, 0.275 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75939P3 22A, 200V, 0.125 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
HUF75842S3ST 功能描述:MOSFET 43a 150V 0.042 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75852G3 功能描述:MOSFET 75a 150V 0.016 Ohm N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75925D3ST 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75925P3 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75939P3 功能描述:MOSFET 22a 200V NCh MOSFET 0.125 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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