參數(shù)資料
型號： HUF75645S3S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
中文描述： 75 A, 100 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 204K
代理商： HUF75645S3S
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75645P3, HUF75645S3S Rev. B
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
20
40
60
80
50
75
100
125
150
0
25
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
175
0.1
1
2
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
10
-5
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
100
2000
50
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
1000
V
GS
= 10V
HUF75645P3, HUF75645S3S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF75652G3 75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
HUF75652G3 75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
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HUF75823D3S 14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75842P3 43A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel,UltraFET Power MOSFET(43A, 150V, 0.042Ω N溝道2.5V專用功率MOS場效應管)
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參數(shù)描述
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HUF75645S3ST_NL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
HUF75645S3ST_Q 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HUF75652G3 功能描述:MOSFET 75a 100VN-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75652G3_NL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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