參數(shù)資料
型號(hào)： HUF75623S3
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
中文描述： 第22A，100V的，0.064 Ohm的N通道功率MOSFET UltraFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 199K
代理商： HUF75623S3
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75623P3, HUF75623S3ST Rev. B
FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
Typical Performance Curves
(Continued)
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
B
I
D
= 250
μ
A
160
20
100
1000
2000
0.1
1.0
10
100
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
0
2
4
6
8
10
0
5
15
20
25
V
G
,
V
DD
= 50V
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= 22A
I
D
= 11A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
10
HUF75623P3, HUF75623S3ST
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF75623S3ST 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
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