參數(shù)資料
型號(hào)： HUF75623S3
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
中文描述： 第22A，100V的，0.064 Ohm的N通道功率MOSFET UltraFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
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代理商： HUF75623S3
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75623P3, HUF75623S3ST Rev. B
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
15
20
25
50
75
100
125
150
0
25
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
175
5
10
0.1
1
2
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
10
-5
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
100
300
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 10V
HUF75623P3, HUF75623S3ST
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PDF描述
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