參數(shù)資料
型號： HUF75617D3S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 16A, 100V, 0.090 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
中文描述： 16 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 197K
代理商： HUF75617D3S
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75617D3 Rev. B
FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
Typical Performance Curves
(Continued)
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
B
I
D
= 250
μ
A
160
10
100
1000
2000
0.1
1.0
10
100
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
0
2
4
6
8
10
0
15
V
G
,
V
DD
= 50V
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= 16A
I
D
= 10A
I
D
= 4A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
10
20
5
HUF75617D3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF75617D3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-252AA
HUF75623P3 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75623P3 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75623S3 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75623S3ST 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HUF75617D3ST 功能描述:MOSFET 16a 100V N-Ch 0.090Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75623P3 功能描述:MOSFET 22a 100V N-Ch UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75623S3 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75623S35T 制造商:Intersil Corporation 功能描述:
HUF75623S3S 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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