參數(shù)資料
型號(hào)： HUF75617D3
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 16A, 100V, 0.090 Ohm, N-Channel,UltraFET Power MOSFETs(16A, 100V, 0.090 Ω,N溝道超快功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 16 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大小： 240K
代理商： HUF75617D3
9
SPICE Thermal Model
REV 24 May 2000
HUF75617D
CTHERM1 th 6 1.00e-3
CTHERM2 6 5 4.00e-3
CTHERM3 5 4 4.00e-3
CTHERM4 4 3 3.60e-3
CTHERM5 3 2 7.00e-3
CTHERM6 2 tl 5.00e-2
RTHERM1 th 6 1.59e-2
RTHERM2 6 5 3.96e-2
RTHERM3 5 4 1.12e-1
RTHERM4 4 3 4.27e-1
RTHERM5 3 2 6.45e-1
RTHERM6 2 tl 7.00e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model HUF75617D
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 1.00e-3
ctherm.ctherm2 6 5 = 4.00e-3
ctherm.ctherm3 5 4 = 4.00e-3
ctherm.ctherm4 4 3 = 3.60e-3
ctherm.ctherm5 3 2 = 7.00e-3
ctherm.ctherm6 2 tl = 5.00e-2
rtherm.rtherm1 th 6 = 1.59e-2
rtherm.rtherm2 6 5 = 3.96e-2
rtherm.rtherm3 5 4 = 1.12e-1
rtherm.rtherm4 4 3 = 4.27e-1
rtherm.rtherm5 3 2 = 6.45e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 7.00e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
HUF75617D3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF75617D3S 16A, 100V, 0.090 Ohm, N-Channel,UltraFET Power MOSFETs(16A, 100V, 0.090 Ω,N溝道超快功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
HUF75617D3 16A, 100V, 0.090 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75617D3S 16A, 100V, 0.090 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75617D3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-252AA
HUF75623P3 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HUF75617D3S 功能描述:MOSFET 16a 100V N-Ch 0.090Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75617D3ST 功能描述:MOSFET 16a 100V N-Ch 0.090Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75623P3 功能描述:MOSFET 22a 100V N-Ch UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75623S3 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75623S35T 制造商:Intersil Corporation 功能描述:
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