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參數(shù)資料
| 型號： | HSK110 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 18K |
| 代理商： | HSK110 |
Unit: mm
(0.35typ)
1
φ
3.5
+0.1
–0.2
1
2
( ) : Reference only
(0.35typ)
1
φ
3.5
+0.1
–0.2
1
2
Cathode band (White)
2nd. band (Blue)
Cathode band (White)
2nd. band (Blue)
1 Cathode
2 Anode
HITACHI Code LLD
JEDEC Code —
EIAJ Code —
Weight (g) 0.027
Package Dimensions
HSK110
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HSK110 | Silicon Epitaxial Planar Diode for Tuner Band Switch(用于調(diào)諧開關(guān)的平面外延PIN二極管) |
| HSK120 | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching |
| HSK122 | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
| HSK277 | |
| HSK277 | Silicon Epitaxial Planar Diode for Tuner Band Switch(用于調(diào)諧開關(guān)的平面外延PIN二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HSK1118 | 制造商:HSMC 制造商全稱:HSMC 功能描述:Silicon N Channel MOS Type |
| HSK120 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching |
| HSK120(TR-S-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HSK120-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:HSK120-E |
| HSK122 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
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