- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371869 > HN29WT800FP-10 x8/x16 Flash EEPROM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HN29WT800FP-10 |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 23/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 321K |
| 代理商： | HN29WT800FP-10 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁當(dāng)前第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁
HN29W12811BP Series
23
Timing Waveforms
Power on and off Sequence
t
VRS
t
RP
t
CES
t
BSY
t
CEH
t
CESR
t
RP
t
BSY
t
CES
t
CEH
t
VRH
t
DFP
t
CWRH
t
CESR
t
CWRS
V
CC
CE
WE
RES
RDY
/
Busy
*
1
*
2
*
1
High-Z
Ready
Notes: 1.
RES
must be kept at the V
ILR
level referred to DC characteristics at the rising and falling edges of V
CC
to guarantee data stored in the chip.
2.
RES
must be kept at the V
IHR
level referred to DC characteristics while I/O7 outputs the V
OL
level in the
status data polling and RDY/
Busy
outputs the V
OL
level.
3. : Undefined
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29WT800FP-12 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WT800FP-8 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WT800R-10 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WT800R-12 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WT800R-8 | x8/x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29WT800FP-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WT800FP-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WT800R-10 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WT800R-12 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WT800R-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。