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參數(shù)資料
| 型號： | HN29WB800T-12 |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 30/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 321K |
| 代理商： | HN29WB800T-12 |
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HN29W12811BP Series
30
Program (4) and Status Data Polling Timing Waveform
*
1
CE
WE
RES
RDY
/
Busy
OE
CDE
SC
I/O0 to I/O7
t
CES
t
OEWS
t
CWC
t
WPH
t
WP
t
CDS
t
CDS
t
SCS
t
RP
t
DBR
t
RS
t
RBSY
t
CDH
t
DS
t
CDH
t
WSD
t
AH
t
OE
t
CDSS
t
WP
t
WP
t
SW
t
SCHW
t
CDH
t
CDS
t
WP
SPL
t
SCC
t
WPH
t
CEH
t
CE
t
RDY
t
CWC
t
DB
t
OEPS
t
ASP
t
DH
t
AS
t
AS
t
AH
t
SP
t
SP
t
DS
t
DH
40H
11H
PD0
PD1
PD2111
I/O7 = V
OL
I/O7 = V
OH
SA (1)
SA (2)
High-Z
High-Z
*
2
*
3
t
DF
t
DF
Notes: 1. The programming operation is not guranteed when the number of the SC pulse exceeds 2112.
2. Any commands, including reset command FFH, cannot be input while RDY/
Busy
is V
OL
.
3. The status returns to the standby status after RDY/
Busy
returns to High-Z.
4. By using program (4), data can be rewritten for each sector.
t
SDH
t
SDS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29WB800T-8 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WT800FP-10 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WT800FP-12 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WT800FP-8 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WT800R-10 | x8/x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29WB800T-8 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WT800 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WT800FP-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WT800FP-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WT800FP-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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