參數(shù)資料
型號： HN1B01FUGR
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP
中文描述： 晶體管|晶體管|一對|互補| 50V五（巴西）總裁| 150毫安一（c）|的TSOP
文件頁數(shù)： 7/8頁
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代理商： HN1B01FUGR
HN1B01FDW1T1
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
SC–74
CASE 318F–03
ISSUE F
2
3
4
5
6
A
L
1
S
G
D
B
H
C
0.05 (0.002)
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
S
MIN
0.1142
0.0512
0.0354
0.0098
0.0335
0.0005
0.0040
0.0079
0.0493
MAX
0.1220
0.0669
0.0433
0.0197
0.0413
0.0040
0.0102
0.0236
0.0649
10
0.1181
MIN
2.90
1.30
0.90
0.25
0.85
0.013
0.10
0.20
1.25
MAX
3.10
1.70
1.10
0.50
1.05
0.100
0.26
0.60
1.65
10
3.00
MILLIMETERS
INCHES
0
0
0.0985
2.50
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
MATERIAL.
4. 318F-01 AND -02 OBSOLETE. NEW STANDARD
318F-03.
M
J
K
STYLE 3:
PIN 1. EMITTER 1
2. BASE 1
3. COLLECTOR 2
4. EMITTER 2
5. BASE 2
6. COLLECTOR 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HN1B01FUY TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP
HN1B01FY TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP
HN1B04FUGR TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP
HN1B04FUY TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP
HN1B01FU NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS)
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參數(shù)描述
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HN1B01FU-GR(TE85LF 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:NPN TRANSISTOR, UB, LAW - Bulk
HN1B01FUGRLFT 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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