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參數(shù)資料
| 型號： | HM5225805BLTT-B6 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| 中文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 49/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 462K |
| 代理商： | HM5225805BLTT-B6 |
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HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
Data Sheet E0082H10
49
Notes: 1. I
depends on output load condition when the device is selected. I
CC
(max) is specified at the
output open condition.
2. One bank operation.
3. Input signals are changed once per one clock.
4. Input signals are changed once per two clocks.
5. Input signals are changed once per four clocks.
6. After power down mode, CLK operating current.
7. After power down mode, no CLK operating current.
8. After self refresh mode set, self refresh current.
9. Input signals are V
IH
or V
IL
fixed.
Capacitance
(Ta = 25
°
C, V
CC
, V
CC
Q = 3.3 V ± 0.3 V)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Input capacitance (CLK)
C
I1
C
I2
C
O
2.5
3.5
pF
1, 2, 4
Input capacitance (Input)
2.5
3.8
pF
1, 2, 4
Output capacitance (DQ)
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2. Measurement condition: f = 1 MHz, 1.4 V bias, 200 mV swing.
3. DQM, DQMU/DQML = V
IH
to disable Dout.
4. This parameter is sampled and not 100% tested.
4
6.5
pF
1, 2, 3, 4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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