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參數(shù)資料
| 型號： | HM5225805BLTT-B6 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| 中文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 15/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 462K |
| 代理商： | HM5225805BLTT-B6 |
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HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
Data Sheet E0082H10
15
Current state
CS
RAS
CAS
WE
Address
Command
Operation
Row active
H
×
×
×
×
×
DESL
NOP
L
H
H
H
NOP
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10 READ/READ A
Begin read
L
H
L
L
BA, CA, A10 WRIT/WRIT A
Begin write
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
Other bank active
ILLEGAL on same bank*
3
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
Precharge
L
L
L
H
×
REF, SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
MODE
MRS
ILLEGAL
Read
H
×
×
×
×
×
DESL
Continue burst to end
L
H
H
H
NOP
Continue burst to end
Continue burst read to
CAS
latency and New read
L
H
L
H
BA, CA, A10 READ/READ A
L
H
L
L
BA, CA, A10 WRIT/WRIT A
Term burst read/start write
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
Other bank active
ILLEGAL on same bank*
3
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
Term burst read and
Precharge
L
L
L
H
×
REF, SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
MODE
MRS
ILLEGAL
Read with auto-
precharge
H
×
×
×
×
DESL
Continue burst to end and
precharge
L
H
H
H
×
NOP
Continue burst to end and
precharge
L
H
L
H
BA, CA, A10 READ/READ A
ILLEGAL*
4
L
H
L
L
BA, CA, A10 WRIT/WRIT A
ILLEGAL*
4
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
Other bank active
ILLEGAL on same bank*
3
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
ILLEGAL*
4
L
L
L
H
×
REF, SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
MODE
MRS
ILLEGAL
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