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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5165805FLJ-5 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 8 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
| 文件頁數(shù)： | 12/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 477K |
| 代理商： | HM5165805FLJ-5 |
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HM5164805F Series, HM5165805F Series
2
4 variations of refresh
RAS-only refresh
CAS-before-RAS refresh
Hidden refresh
Self refresh (L-version)
Battery backup operation (L-version)
Ordering Information
Type No.
Access time
Package
HM5164805FJ-5
HM5164805FJ-6
50 ns
60 ns
400-mil 32-pin plastic SOJ
(CP-32DC)
HM5164805FLJ-5
HM5164805FLJ-6
50 ns
60 ns
HM5165805FJ-5
HM5165805FJ-6
50 ns
60 ns
HM5165805FLJ-5
HM5165805FLJ-6
50 ns
60 ns
HM5164805FTT-5
HM5164805FTT-6
50 ns
60 ns
400-mil 32-pin plastic TSOP II
(TTP-32DC)
HM5164805FLTT-5
HM5164805FLTT-6
50 ns
60 ns
HM5165805FTT-5
HM5165805FTT-6
50 ns
60 ns
HM5165805FLTT-5
HM5165805FLTT-6
50 ns
60 ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM51S4265DTT-6 | 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40 |
| HM55-21R47 | 1 ELEMENT, 0.47 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| HM628127HLJP-25 | 128K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO32 |
| HM62W8128DLR-7 | STANDARD SRAM, PDSO32 |
| HM64-104R7 | 1 ELEMENT, 4.7 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM51680J | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 5% 1KHz 3.3A AXL |
| HM51-680J | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 5% 1KHz 3.3A AXL |
| HM51-680JLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
| HM51680K | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 10% 1KHz 3.3A AXL |
| HM51-680K | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 10% 1KHz 3.3A AXL |
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