參數(shù)資料
型號(hào)： HGTG5N120CND
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 25A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode(25A, 1200V,NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 5 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
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代理商： HGTG5N120CND
6
FIGURE 15. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE 16. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
FIGURE 17. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
FIGURE 18. DIODE FORWARD CURRENT vs FORWARD
VOLTAGE DROP
FIGURE 19. RECOVERY TIMES vs FORWARD CURRENT
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
C
RES
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
5
10
15
20
25
0
0.5
C
C
IES
1.0
1.5
2.0
C
OES
FREQUENCY = 1MHz
I
C
,
0
1
2
3
2.5
0
0.5
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
1.0
2.0
1.5
4
5
6
3.0
250
μ
s PULSE TEST
DUTY CYCLE < 0.5%, T
C
= 110
o
C
V
GE
= 10V
7
3.5
V
GE
= 15V
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
0.20
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
SINGLE PULSE
0.10
0.50
0.05
0.02
0.01
V
EC
, FORWARD VOLTAGE (V)
0
1
2
3
4
6
1
I
E
,
10
100
5
7
8
25
o
C
150
o
C
-55
o
C
I
EC
, FORWARD CURRENT (A)
1
2
3
4
5
0
10
t
r
,
20
30
40
7
6
50
60
t
rr
t
a
t
b
T
C
= 25
o
C, dI
EC
/dt = 200A/
μ
s
HGTG5N120CND, HGTP5N120CND, HGT1S5N120CNDS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTP5N120CND 25A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode(25A, 1200V,NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
HGTG7N60A4D 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGT1S7N60A4DS AML42 Series, Solid State Indicator, Square, Compact Style, Lighted, 1 LED, Snap in panel mount
HGTP7N60A4D 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGT1S7N60A4DS 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGTG7N60A4 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTG7N60A4D 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTG7N60A4D 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247
HGTG7N60A4D_05 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG7N60A4D_Q 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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