參數(shù)資料
型號(hào)： HB52E649EN-B6B
元件分類： DRAM
英文描述： 64M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168
封裝： DIMM-168
文件頁(yè)數(shù)： 14/29頁(yè)
文件大?。?/td> 134K
代理商： HB52E649EN-B6B
HB52E648EN/HB52E649EN-A6B/B6B
21
Capacitance (Ta = 25
°C, V
CC = 3.3 V ± 0.3 V) (HB52E648EN)
Parameter
Symbol
Max
Unit
Notes
Input capacitance (Address)
C
I1
105
pF
1, 2, 4
Input capacitance (
RE, CE, W)
C
I2
90
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CKE)
C
I3
68
pF
1, 2, 4
Input capacitance (
S)
C
I4
38
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CK)
C
I5
50
pF
1, 2, 4
Input capacitance (DQMB)
C
I6
23
pF
1, 2, 4
Input/Output capacitance (DQ)
C
I/O1
22
pF
1, 2, 3, 4
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2. Measurement condition: f = 1 MHz, 1.4 V bias, 200 mV swing.
3. DQMB = V
IH to dis able Dat a-out .
4. This parameter is sampled and not 100% tested.
Capacitance (Ta = 25
°C, V
CC = 3.3 V ± 0.3 V) (HB52E649EN)
Parameter
Symbol
Max
Unit
Notes
Input capacitance (Address)
C
I1
112
pF
1, 2, 4
Input capacitance (
RE, CE, W)
C
I2
97
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CKE)
C
I3
70
pF
1, 2, 4
Input capacitance (
S)
C
I4
40
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CK)
C
I5
50
pF
1, 2, 4
Input capacitance (DQMB)
C
I6
27
pF
1, 2, 4
Input/Output capacitance (DQ)
C
I/O1
22
pF
1, 2, 3, 4
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2. Measurement condition: f = 1 MHz, 1.4 V bias, 200 mV swing.
3. DQMB = V
IH to dis able Dat a-out .
4. This parameter is sampled and not 100% tested.
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PDF描述
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