參數(shù)資料
型號： HB52E648EN
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
中文描述： 512 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（512 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 4/29頁
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代理商： HB52E648EN
HB52E648EN/HB52E649EN-A6B/B6B
4
Pin No.
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Pin No.
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26
V
C C
W
68
V
SS
DQ24
110
V
C C
CE
152
V
SS
DQ56
27
69
111
153
28
DQMB0
70
DQ25
112
DQMB4
154
DQ57
29
DQMB1
S0
71
DQ26
113
DQMB5
NC (
S1
)
RE
155
DQ58
30
72
DQ27
114
3
156
DQ59
31
NC
73
V
C C
DQ28
115
157
V
C C
DQ60
32
V
SS
A0
74
116
V
SS
A1
158
33
75
DQ29
117
159
DQ61
34
A2
76
DQ30
118
A3
160
DQ62
35
A4
77
DQ31
119
A5
161
DQ63
36
A6
78
V
SS
CK2
120
A7
162
V
SS
CK3
37
A8
79
121
A9
163
38
A10 (AP)
80
NC
122
BA0
164
NC
39
BA1
81
WP
123
A11
165
SA0
40
V
C C
V
C C
CK0
82
SDA
124
V
C C
CK1
166
SA1
41
83
SCL
125
167
SA2
42
Not es 1. CKE1: HB52E648EN
2.
S3
: HB52E648EN
3.
S1
: HB52E648EN
84
V
C C
126
A12
168
V
C C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E649EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12-B6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HB52E648EN-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus
HB52E648EN-B6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus
HB52E649E12 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
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