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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52D88GB-F |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 64兆微型無(wú)緩沖SDRAM的內(nèi)存（64 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | HB52D88GB-F |
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HB52D88GB-F
17
Notes: 1. AC measurement assumes t
T
= 1 ns. Reference level for timing of input signals is 1.5 V.
2. Access time is measured at 1.5 V. Load condition is CL = 50 pF.
3. t
LZ
(min) defines the time at which the outputs achieves the low impedance state.
4. t
HZ
(max) defines the time at which the outputs achieves the high impedance state.
5. t
CES
define CKE setup time to CK rising edge except power down exit command.
6. t
AS
/t
AH
: Address, t
CS
/t
CH
:
S
,
RE
,
CE
,
W
, DQMB
t
DS
/t
DH
: Data-in, t
CES
/t
CEH
: CKE
Test Conditions
Input and output timing reference levels: 1.5 V
Input waveform and output load: See following figures
t
T
2.4 V
0.4 V0.8 V
2.0 V
input
t
T
I/O
CL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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