參數(shù)資料
型號(hào)： HAT1065T
廠商： Renesas Technology Corp.
元件分類： 靜電保護(hù)器
英文描述： Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes, SOD323 (UMD2; I-IEIA; URP), Tape reel SMD
中文描述： 硅P通道MOS FET的高速電源開關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： HAT1065T
HAT1065T
REJ03G0161-0200 Rev.2.00 Aug 06, 2007
Page 2 of 3
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
V
(BR)DSS
V
(BR)GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS(off)
R
DS(on)
R
DS(on)
R
DS(on)
|y
fs
|
Ciss
Coss
Crss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
Min
–200
±
15
—
—
–1.0
—
—
—
0.29
—
—
—
—
—
—
—
—
Typ
—
—
—
—
—
5.0
6.0
7.0
0.45
140
37
10
12
9
25
15
–0.9
Max
—
—
±
10
–5
–2.0
6.2
7.5
10.0
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.4
Unit
V
V
μ
A
μ
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
Test Conditions
I
D
= –10 mA, V
GS
= 0
I
G
=
±
100
μ
A, V
DS
= 0
V
GS
=
±
12 V, V
DS
= 0
V
DS
= –200 V, V
GS
= 0
V
DS
= –10 V, I
D
= –1 mA
I
D
= –0.25 A, V
GS
= –10 V
Note4
I
D
= –0.25 A, V
GS
= –4 V
Note4
I
D
= –1 A, V
GS
= –5 V
Note4
I
D
= –0.25 A, V
DS
= –10 V
Note4
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
f = 1 MHz
V
GS
= –5 V, I
D
= –0.25 A
V
DD
–30 V
Drain to source breakdown voltage
Gate to source breakdown voltage
Gate to source leak current
Zero gate voltage drain current
Gate to source cutoff voltage
Static drain to source on state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Body–drain diode forward voltage
Notes: 4. Pulse test
I
F
= –0.25 A, V
GS
= 0
Note4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT1065T-EL-E Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes, SOD523 (SC-79), Tape reel SMD
HAT1110R Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching
HAT1110R-EL-E Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching
HAT1111C Silicon P Channel MOS FET Power Switching
HAT1111C-EL-E Silicon P Channel MOS FET Power Switching
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HAT1065T-EL-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
HAT1069C 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel Power MOSFET Power Switching
HAT1069C-EL-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 4A 6-Pin CMFPAK T/R
HAT1072H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A 5LFPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT1072H_05 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching
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