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參數(shù)資料
| 型號： | GS881E36T-100 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 12 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 29/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 487K |
| 代理商： | GS881E36T-100 |
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Rev: 1.10 9/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
29/34
2000, Giga Semconductor, Inc.
Preliminary
GS881E18/36T-11/11.5/100/80/66
JTAG Port Timing Diagram
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
TCK Cycle Time
TCK Low to TDO Valid
TCK High Pulse Width
TCK Low Pulse Width
TDI & TMS Set Up Time
TDI & TMS Hold Time
Symbol
tTKC
tTKQ
tTKH
tTKL
tTS
tTH
Min
20
—
10
10
5
5
Max
—
10
—
—
—
—
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
tTKQ
tTS
tTH
tTKH
tTKL
TCK
TMS
TDI
TDO
tTKC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E36BT-250IV | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-250V | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BT-150IV | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BT-150V | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BT-200IV | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS881E36T-100I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-11 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
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| GS881E36T-11.5I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-11I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
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