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參數(shù)資料
| 型號： | GS881E18BGT-250IV |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 15/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 771K |
| 代理商： | GS881E18BGT-250IV |
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First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
X
W
R
R
W
R
X
X
X
CR
R
CW
CR
CR
W
CW
W
CW
Notes:
1.
2.
The diagram shows supported (tested) synchronous state transitions plus supported transitions that depend upon the use of G.
Use of “Dummy Reads” (Read Cycles with G High) may be used to make the transition from read cycles to write cycles without passing
through a Deselect cycle. Dummy Read cycles increment the address counter just like normal read cycles.
Transitions shown in gray tone assume G has been pulsed high long enough to turn the RAM’s drivers off and for incoming data to meet
Data Input Set Up Time.
3.
GS881E18/32/36B(T/D)-xxxV
Rev: 1.00 6/2006
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
15/36
2006, GSI Technology
Simplified State Diagram with G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| GS881Z18BD-150IV | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS881Z18BD-150V | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS881E18BGT-250V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
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