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參數(shù)資料
| 型號： | GS881E18BGT-250IV |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 10/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 771K |
| 代理商： | GS881E18BGT-250IV |
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GS881E18/32/36B(T/D)-xxxV
Rev: 1.00 6/2006
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
10/36
2006, GSI Technology
GS881E18/32/36B(T/D)-xxxV Block Diagram
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A0
A1
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D1
Q1
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1
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Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx1
–
DQx9
Note: Only x36 version shown for simplicity.
1
B
B
B
C
B
D
FT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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