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參數(shù)資料
| 型號： | GS8672Q38BE-500I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 6/29頁 |
| 文件大小： | 791K |
| 代理商： | GS8672Q38BE-500I |
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GS8672Q20/38BE-500/450/400
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 4/2011
14/29
2011, GSI Technology
Preliminary
Capacitance
oC, f = 1 MHZ, VDD = 1.8 V)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
4
5
pF
Output Capacitance
COUT
VOUT = 0 V
4.5
5.5
pF
Note:
This parameter is sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
1.25 V
Input low level
0.25 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
0.75 V
Output reference level
VDDQ/2
Note:
Test conditions as specified with output loading as shown unless otherwise noted.
DQ
VT = VDDQ/2
50
Ω
RQ = 250
Ω (HSTL I/O)
VREF = 0.75 V
AC Test Load Diagram
Input and Output Leakage Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDDQ
–2 uA
2 uA
Doff
IILDOFF
VIN = 0 to VDDQ
–100 uA
2 uA
ODT
IIL ODT
VIN = 0 to VDDQ
–2 uA
100 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable,
VOUT = 0 to VDDQ
–2 uA
2 uA
(TA = 25
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