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CK
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1
FT
G
ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx1
–
DQx9
NC
Parity
Compare
NC
Parity
Encode
36
4
36
36
4
32
Note: Only x36 version shown for simplicity.
0
36
36
D
Q
R
4
B
B
B
C
B
D
GS8321E18/32/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 6/2006
6/31
2003, GSI Technology
GS8321E18/32/36E-xxxV Block Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8321E32GE-166V | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E32GE-200IV | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E32GE-200V | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E32GE-225IV | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E32GE-225V | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8321E32GE-166V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E32GE-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E32GE-200IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E32GE-200V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E32GE-225 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
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