參數(shù)資料
型號(hào)： GS8321E32GE-166IV
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 1M X 32 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 31/31頁(yè)
文件大?。?/td> 739K
代理商： GS8321E32GE-166IV
36Mb Sync SRAM Datasheet Revision History
DS/DateRev. Code: Old;
New
Types of Changes
Format or Content
Page;Revisions;Reason
8321EVxx_r1
Creation of new datasheet
8321EVxx_r1;
8321EVxx_r1_01
Content
Added parity bit designators to x18 and x36 pinouts
Removed address pin numbers (except 0 and 1)
Corrected “E” package thickness to 1.4 mm
Updated format
Added variation information to package mechanical
8321EVxx_r1_01;
8321EVxx_r1_02
Content/Format
8321EVxx_r1_02;
8321EVxx_r1_03
Format
Pb-free information added
8321EVxx_r1_03;
8321EVxx_r1_04
Format
Updated entire document to reflect change in part
nomenclature
GS8321E18/32/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 6/2006
31/31
2003, GSI Technology
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8321E32GE-166V 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E32GE-200IV 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E32GE-200V 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E32GE-225IV 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E32GE-225V 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS8321E32GE-166V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E32GE-200 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E32GE-200IV 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E32GE-200V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E32GE-225 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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