參數資料
型號： GS832136E-250V
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 1M X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁數： 18/31頁
文件大小： 745K
代理商： GS832136E-250V
GS832118/32/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 6/2006
18/31
2003, GSI Technology
Flow Through Mode Timing
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關PDF資料
PDF描述
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GS832136GE-166IV 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS832136GE-166V 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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